特許
J-GLOBAL ID：200903030862040815
半導体装置の金属ベース接合方法および金属ベース
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335348
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166856
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】ろう付け欠陥となるボイドの発生、並びに半導体チップ,半導体チップを搭載した基板などの接合部品に対する応力割れを防止できるようにした半導体装置の金属ベース接合方法,およびこれに用いる金属ベースを提供する。【構成】金属ベース1と半導体チップ, または半導体チップを搭載した基板の接合部品2との間をろう材で接合する際に、金属ベース1の接合面域にあらかじめ球面状凹溝1aを加工して凹凸面を形成しておき、ここに粒状に成形したろう材プリフォーム5を散在させて接合相手の接合部品2を載せ、この状態を保持したまま還元性雰囲気炉中に搬入してろう材を加熱, 溶融させて接合する。これにより、接合面の隅々まで還元性ガスが拡散して接合面を活性化させ、十分な濡れ性を与えてボイド発生のないろう付け接合層が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体チップ, または半導体チップを搭載した基板と金属ベースとの間をろう材を接合材として接合する方法であって、金属ベースの上面に粒状に成形したろう材プリフォームを散在させてその上に半導体チップ, または半導体チップを搭載した基板を載せ、還元性雰囲気中でろう材プリフォームを加熱, 溶融させて接合することを特徴とする半導体装置の金属ベース接合方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
