特許
J-GLOBAL ID：200903030863047341
高周波電力増幅器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164348
公開番号（公開出願番号）：特開平10-013163
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 多層基板を用いて実装面積の小型化、高周波特性の向上を図った高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】 多層基板を用いて2段構成からなる増幅器を構成する。基板表面の第1導体層11に前段FET1a、終段FET1b、各整合回路2a,2b,2c等を配置する。内層の第2導体層12および基板裏面の第4導体層14はGND層とし、第3導体層13にドレイン電圧供給回路4a,4bの電圧供給線路9a,9bを形成する。第1導体層11に形成された出力整合回路2cを構成する信号伝達線路5cに対向する部分の内層導体を除くことにより、信号伝達線路5cは誘電体層を介して第4導体層14と対向している。これによって信号伝達線路5cの線路幅を太くすることができ、高周波損失の低減に寄与する。
請求項（抜粋）：
表面に第1導体層、裏面に第N導体層、内部に第2から第N-1の導体層を有するN層基板にトランジスタ、バイアス供給回路、ドレイン電圧供給回路、そして入出力および段間の整合回路を配置してなる高周波電力増幅器であって、基板表面の第1導体層に前記トランジスタ、前記バイアス供給回路、前記各整合回路、および前記ドレイン電圧供給回路のうちの集中定数素子を配置し、基板内部の第i導体層と基板裏側の第N導体層とをグランド層とし、第i導体層と第N導体層との間に位置する第j導体層に前記ドレイン電圧供給回路のうちの電圧供給線路を形成したことを特徴とする高周波電力増幅器。
IPC (5件)：
H03F 3/19
, H01P 5/08
, H03F 3/60
, H05K 3/46
, H05K 9/00
H03F 3/19
, H01P 5/08 L
, H03F 3/60
, H05K 3/46 Q
, H05K 9/00 R
