特許

J-GLOBAL ID：200903030863984205

SiCの熱酸化膜の改善方法

発明者： 坂本 光 ,  西川 猛 ,  寺田 敏行 ,  星野 泰三
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008557
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199497
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 SiC単結晶上に形成された熱酸化膜を用いたMOSキャパシターのC-V特性のヒステリシス、フラットバンドシフトを解消するための熱酸化膜特性を向上させる方法を提供する。【解決手段】 SiCを熱酸化した後、Ar、He、N2 などの不活性ガス雰囲気およびH2 雰囲気中の熱処理を行うことにより同酸化膜からヒステリシス、フラットバンドシフトを解消する。ヒステリシス解消に当たっては、H2 雰囲気中の熱処理により行う。また、フラットバンドシフトを解消に当たっては、不活性ガスによる熱処理で発生するアキュミュレーション方向へのフラットバンドシフトとH2 処理により発生するインバージョン方向へのフラットバンドシフトを相殺させることにより実現する。不活性ガスおよびH2 雰囲気中の熱処理については、その順序はどちらが先でも同等の効果をもたらす。

請求項（抜粋）：

SiC単結晶基板の熱酸化膜の改善方法において、酸化する工程に続き、水素によりアニールする工程と、不活性ガスによりアニールする工程を有することを特徴とするヒステリシスおよびフラットバンドシフトを低減するSiCの熱酸化膜の改善法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/324 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-142568
  
• 特開昭48-045176