特許

J-GLOBAL ID：200903030866820556

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 山華 雅司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060579
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】プラズマを生成する領域が大きくなっても誘電体窓の面積を大きくする必要がなく、かつその厚さも薄くすることである。【解決手段】反応チャンバ1に設けられている金属天板3に4つの円形の穴部13〜16を形成し、これら穴部13〜16にそれぞれ円形の各誘電体窓17〜20を設けた。これら誘電体窓17〜20の設けられる位置は、アンテナ10により発生する誘導磁界の中心軸Aを中心とするそれぞれ異なる直径の各円周上、すなわち反応チャンバ1の金属天板3に誘導磁界により発生する渦電流を切るところとなっている。

請求項（抜粋）：

アンテナにより発生する誘導磁界により誘導される誘導電界によって反応チャンバ内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記反応チャンバ内に載置されている被処理体を処理するプラズマ処理方法において、前記反応チャンバの前記アンテナが位置する面に少なくとも2つの誘電体窓を設けて誘導磁界を前記反応チャンバ内に導くことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L

Fターム (19件)：

4K030FA04 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030KA45 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11