特許
J-GLOBAL ID：200903030868779162
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006144
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190547
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 薄膜抵抗体を具備する半導体装置及びその製造方法に関し、高抵抗で熱的に安定し且つ良好なオーミック接続がなされた薄膜抵抗体を提供して薄膜抵抗を具備する半導体装置の歩留り及び信頼性を向上せしめることを目的とする。【構成】 クロムシリコンオキシからなる薄膜抵抗体6と、該薄膜抵抗体6にクロムシリサイド薄膜4を介して接続する純アルミニウム若しくはアルミニウム合金の薄膜配線5A、5Bを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
クロムシリコンオキシからなる薄膜抵抗体と、該薄膜抵抗体にクロムシリサイド薄膜を介して接続する純アルミニウム若しくはアルミニウム合金の薄膜配線を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/285
