特許
J-GLOBAL ID:200903030874976840

透明導電性薄膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-090233
公開番号(公開出願番号):特開2000-285737
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 充分に結晶性が高く、移動度が高く、キャリア濃度が高い透明導電性薄膜等を提供する。【解決手段】 パルスレーザー蒸着法を用い、YSZ単結晶基板上に、In2O3、ZnO又はSnO2からなるキャリア生成層と、ドーパントを添加した、In2O3、ZnO又はSnO2からなるキャリア移動層と、を交互に積層して、透明導電性薄膜を製造する。
請求項(抜粋):
キャリア生成層とキャリア移動層とを交互に積層してなる薄膜であって、それぞれの層の界面における表面粗さが自乗平均平方根粗さRmsで10nm以下であることを特徴とする透明導電性薄膜。
IPC (5件):
H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503
FI (5件):
H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 B
Fターム (51件):
2H090JA02 ,  2H090JB04 ,  2H090JC07 ,  2H090JC08 ,  2H090JD13 ,  2H092HA04 ,  2H092KA02 ,  2H092KA03 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA25A ,  4F100AA25B ,  4F100AA27C ,  4F100AA28A ,  4F100AA28B ,  4F100AA33 ,  4F100AT00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA08 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100CA30B ,  4F100DD07 ,  4F100DD07A ,  4F100DD07B ,  4F100EH662 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11 ,  4F100JA20A ,  4F100JA20B ,  4F100JG01 ,  4F100JM02A ,  4F100JM02B ,  4F100JN01 ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 導電性薄膜
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-247612   出願人:株式会社日立製作所
  • 透明導電膜
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-214893   出願人:シャープ株式会社
  • 透明性導電膜およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-150009   出願人:株式会社ニコン
全件表示

前のページに戻る