特許
J-GLOBAL ID：200903030878251557
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054629
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259091
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 可及的、簡便な装置を用いて低温で気相成長層を形成する。【構成】 シリコン又はゲルマニウムが堆積しない濃度の、ゲルマン及びシリコン水素化物、或いはゲルマン及びシリコン塩化物、或いはゲルマンのみから成るガスの雰囲気中にシリコン基板11を置いて、シリコン基板表面の酸化膜12を除去する工程と、その後、所定濃度のシリコン水素化物、或いはシリコン塩化物から成るエピタキシャルソ-スガスを用いて前記シリコン基板表面に単結晶のシリコン膜13をエピタキシャル成長させる工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン又はゲルマニウムが堆積しない濃度の、ゲルマン及びシリコン水素化物、或いはゲルマン及びシリコン塩化物、或いはゲルマンのみから成るガスの雰囲気中にシリコン基板を置いて、シリコン基板表面の酸化膜を除去する工程と、その後、所定濃度のシリコン水素化物、或いはシリコン塩化物から成るエピタキシャルソ-スガス或いはゲルマンを用いて前記シリコン基板表面にエピタキシャル成長させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 14/14
, C30B 23/02
, H01L 21/20
