特許
J-GLOBAL ID：200903030882344160
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159183
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005986
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 高出力半導体レーザを信頼性に優れかつ高歩留まりで量産する製造方法を提供する。【構成】 p型クラッド層、活性層、n型クラッド層がそれぞれp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P、アンドープGa0.5In0.5P、n-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pで構成されるレーザバー11の共振器端面(R領域)の両面に、RFコイル13で励起されたホスフィンのプラズマをレーザバー11の温度を400°C以下で制御しながら照射して共振器端面近傍に水素原子を注入する。それによって、ダメージによって生じるリンの欠陥による結晶性の低下を伴うことなく、共振器端面近傍数ミクロンの薄い範囲に1μm以下の精度で高抵抗領域を形成する。その結果、I-L特性の線形性が良くて駆動電流が低く、かつ、CODレベルの高い高出力半導体レーザの高歩留まりな製造が容易にできる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザの構成元素の活性種と水素の活性種を含むプラズマを、前記半導体レーザ共振器面の少なくとも片面に照射することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 J
, H01L 21/265 C
