特許

J-GLOBAL ID：200903030884605450

誘電体薄膜素子用電極およびその製造方法とそれを用いた超音波振動子

発明者： 山田 朗 ,  佐藤 剛彦 ,  前田 智佐子 ,  梅村 敏夫 ,  内川 英興
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007034
公開番号（公開出願番号）：特開平11-205898
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 主導電層に不要元素が拡散してこれに形成される誘電体薄膜の結晶性が低下してしまい電極を適用した素子の特性低下を招いていた。【解決手段】 基板との密着層と、この密着層や基板を構成する金属元素の化合物を含有した拡散抑制層と、主導電層とより構成される誘電体薄膜素子用電極を提供し、最表面層の主導電層に適用される誘電体薄膜への不要元素の拡散を防止するようにしてその結晶性を高めた。

請求項（抜粋）：

誘電体薄膜への主に電気信号の入出力を行う主導電層と、基板と主導電層とを密着させる密着層と、上記主導電層と上記密着層との間に形成されており、基板または上記密着層から上記主導電層への元素拡散を抑制する拡散抑制層とを備えた誘電体薄膜素子用電極。

IPC (6件)：

H04R 17/00 330 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/17

FI (6件)：

H04R 17/00 330 H ,  H01L 37/02 ,  H03H 3/02 B ,  H03H 9/17 F ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/22 Z