特許
J-GLOBAL ID：200903030886652838

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-130910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293679
出願日： 1996年04月27日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【目的】 多数の薄膜トランジスタを作製した場合の特性のバラツキを是正する構成を提供する。【構成】 チャネル形成領域114とドレイン領域112との間にドレイン領域よりも導電型を付与する不純物が低濃度で添加された低濃度不純物領域115を形成する。この際に不純物イオンの注入を質量分離を用いた方法により行う。こうすることで、低濃度不純物領域の活性化の結果得られる抵抗値のバラツキを抑制できる。そして、多数の薄膜トランジスタの特性を備えた構成を得ることができる。
請求項（抜粋）：
チャネル形成領域とドレイン領域との間にドレイン領域よりも導電型を付与する不純物が低濃度で添加された低濃度不純物領域を有し、該低濃度不純物領域は質量分離がなされた不純物イオンが注入され、前記低濃度不純物領域の表面はレーザー光の照射により形成された凹凸を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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