特許

J-GLOBAL ID：200903030897134820

半導体レーザ

発明者： 石川 卓哉 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101112
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294524
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 活性層からpクラッド層への電子のオーバーフローを抑制して、温度特性の良好な半導体レーザを提供する。【解決手段】 本半導体レーザ10は、GaAs基板12上に作製したAlGaInP系の半導体レーザであって、活性層18とp型クラッド層22との間に伸張歪の大きさが2%の電子ストッパ層20を有する。これにより、活性層からpクラッド層への電子のオーバーフローを抑制して、温度特性を向上させる。

請求項（抜粋）：

活性層とp側クラッド層との間に伸張歪を有する間接遷移型の混晶半導体層を有することを特徴とする半導体レーザ。