半導体装置の検査方法及び検査装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288989
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ウエハ上の半導体装置パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線をウエハに入射して二次電子像を比較することにより検査する方法において、製造過程における半導体装置回路パターンを加工する際生ずる微細な凹凸による誤検出を解消し、欠陥検出感度・検査結果の信頼性を向上する。【解決手段】電子線像を用いてウエハ上に形成された半導体装置の回路パターンの欠陥を比較検査して自動検出することを特徴とする半導体装置の検査方法及び検査装置であって、半導体装置を加工する際に生じた凹凸に応じて、対物レンズ11の作用により半導体装置28へ照射する電子線の径を変える。あるいは対物レンズ11や試料台14の高さを調整することで半導体装置28上の焦点位置にオフセットをかける。また、画像処理演算部23での画像処理時画素サイズを半導体装置加工面の凹凸に応じて変える。

請求項（抜粋）：

電子線を試料に照射し、形成された電子線像を比較することにより回路パターンの欠陥を検出することを特徴とする半導体装置の検査方法であって、検出した電子線信号のうち所定範囲の周波数成分の信号レベルに基づき電子線像の分解能を変えることを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (6件)：

H01J 37/04 , H01J 37/141 , H01J 37/20 , H01J 37/21 , H01J 37/22 502 , H01L 21/66

FI (6件)：

H01J 37/04 A , H01J 37/141 Z , H01J 37/20 D , H01J 37/21 B , H01J 37/22 502 H , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

画像処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-081822 出願人：株式会社東芝
特開平2-015545
欠陥検出装置及び検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-328078 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る