特許
J-GLOBAL ID：200903030899828536
半導体単結晶の引上装置及び引上方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027920
公開番号（公開出願番号）：特開平6-293590
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体単結晶の引上装置において、炉内にガス整流管が存在する場合に結晶引上げ中でもメルト表面とガス整流管下端間の間隔の検出を可能とし、該間隔の修正を容易に行うことができ、引上げ単結晶棒の結晶品質、特にドーパント及び酸素、炭素等の不純物濃度の安定を図る。【構成】 ガス整流管の下端部に設けられた基準点反射体と、該基準点反射体の上方に設けられかつ水平光と垂直光との光路変更を行う第一光路変更光学系及び第二光路変更光学系と、該第一光路変更光学系に水平方向の光を照射する第一発光源及びルツボ内のメルト表面からの反射光を受ける第一受光素子とからなる第一位置検出手段と、該第二光路変更光学系に水平方向の光を照射する第二発光源及び該基準点反射体からの反射光を受ける第二受光素子とからなる第二位置検出手段とを有する。
請求項（抜粋）：
ルツボの中心位置の直上かつ直近にあって引き上げられる単結晶を囲繞するように配設された円筒状ないしはその下端部の径が狭められた円錐状のガス整流管を備えた半導体単結晶の引上装置において、該ガス整流管の下端部に設けられた基準点反射体と、該基準点反射体の上方に設けられかつ水平光と垂直光との光路変更を行う第一光路変更光学系及び第二光路変更光学系と、該第一光路変更光学系に水平方向の光を照射する第一発光源及びルツボ内のメルト表面からの反射光を受ける第一受光素子とからなる第一位置検出手段と、該第二光路変更光学系に水平方向の光を照射する第二発光源及び該基準点反射体からの反射光を受ける第二受光素子とからなる第二位置検出手段とを有することを特徴とする半導体単結晶の引上装置。
IPC (3件)：
C30B 15/26
, C30B 27/02
, H01L 21/208
