特許
J-GLOBAL ID：200903030900442469
プラズマCVD法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262784
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013332
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 高融点金属の珪化物をシリコンの部分のみに選択的に、かつ、均一に成長させることを目的とする。【構成】 不活性ガスのプラズマがプラズマ発生室1で安定して生成され、そのプラズマがアパーチャ板5を介して反応室6に小量漏れ込む。この小量のプラズマの補助により基板7上に高融点金属の珪化物を気相成長させる。
請求項（抜粋）：
シリコン面を含む基板を加熱し、高融点金属と塩素との化合物からなる原料ガスを含むガスの低密度プラズマを発生させ、前記基板上のシリコン面のみに選択的に前記高融点金属の珪化物を形成することを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/42
, H05H 1/46
