不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332108
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193145
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】各メモリセルの電荷保持特性を改善し、信頼性を向上させることが可能な不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】フローティングゲート49とコントロールゲート51との間の層間絶縁膜は、シリコンの熱酸化膜35とシリコン窒化膜37とCVD法によるシリコン酸化膜42からなる三層構造、またはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とCVD法によるシリコンオキシナイトライド膜からなる三層構造を有する。メモリセルの電荷保持特性を改善することができ、またはフローティングゲートとコントロールゲートとの間の層間絶縁膜の膜厚を容易に制御することができるとともに、周辺回路のトランジスタの信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成されたシリコン層からなるフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極の上に形成されたシリコンの熱酸化膜と、前記熱酸化膜の上に形成されたシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜の上に化学的気相成長させられたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の上に形成されたシリコン層からなるコントロールゲート電極とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-071674
特開昭59-132170
特開平4-087374

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