特許

J-GLOBAL ID：200903030911794073

半導体装置の保護膜形成方法

発明者： 三 友 亨 ,  佐 藤 伸 良
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284351
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132284
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】硬度、応力、水素含有量など全てにおいて満足できる信頼性の大きな半導体装置の保護膜形成方法を提供する。【構成】一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(ただし、上記において、R1 、R2 基がH-、CH3 -、C2 H5 -、C3 H7 -、C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表される有機シラン化合物を原料ガスとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。

請求項（抜粋）：

一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(ただし、上式において、R1 、R2 がH-、CH3 -、C2 H5 -、C3 H7 -、C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表される有機シラン化合物を原料ガスとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31