特許

J-GLOBAL ID：200903030923313186

有機電界効果トランジスタ

発明者： 筒井 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-142565
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047977
出願日： 2003年05月20日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】不純物がドープされた有機半導体膜を用いなくても十分に動作する有機FETを作製することで、薄膜の状態が安定な有機FETを提供する。また、単結晶や微結晶の有機半導体膜を適用することなく、通常の蒸着膜や塗布膜を用いても十分に動作する有機FETを作製することで、材料の選択幅が広く、かつ簡便に作製できる有機FETを提供する。【解決手段】少なくとも、ゲート電極202と、ゲート電極202に接して形成されたゲート絶縁膜203と、ゲート絶縁膜203に接して形成された有機半導体膜205と、有機半導体膜205に接して形成された少なくとも一対のソース-ドレイン電極(204および207)とが、絶縁表面を有する基板201上に設けられた有機電界効果トランジスタにおいて、ゲート信号時に有機半導体膜205の中にキャリアを注入できるキャリア発生電極206を埋め込む構造を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

少なくとも、ゲート電極と、前記ゲート電極に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された有機半導体膜と、前記有機半導体膜に接して形成された少なくとも一対のソース-ドレイン電極とが、絶縁表面を有する基板上に設けられた有機電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体膜の中にキャリア発生電極が埋め込まれていることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 622

Fターム (36件)：

5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE27 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-255669
  
• 特開平4-049665