特許

J-GLOBAL ID：200903030926031386

半導体装置及びその製造方法

発明者： 飯嶋 利恒 ,  佐藤 二尚
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-006387
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221286
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】レーザーダイシング工程での切断性を改善できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】レーザーダイシングによって半導体ウェーハ32が分割されてチップ21-1,21-2が形成される。上記チップの側面のレーザーダイシング領域23-1,23-2の表層には、上記レーザーダイシング領域に沿って形成された配線層を備えている。この配線層は、レーザー光線の照射領域を均一化し、且つレーザー光線を吸収しやすくするためのダミーパターンとして働く。上記配線層を設けたことによって、仕上がりが表面状態によってばらつくことはなく、レーザーダイシング工程の切断性を改善できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

レーザーダイシングによって半導体ウェーハが分割されたチップであって、 前記チップ側面のレーザーダイシング領域の表層に、前記レーザーダイシング領域に沿って形成された配線層を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/78 B ,  H01L21/78 L