特許

J-GLOBAL ID：200903030932365687

不揮発性半導体記憶装置とその読み出し方法

発明者： 深山 博行
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191382
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013579
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 一定の時間後にメモリ回路に格納されたデータを、自動的に読み出し不能とできる不揮発性半導体記憶装置とその読み出し方法を提供する。【構成】 一導電型の半導体基板に互いに離間して形成する逆導電型のソース領域とドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に複数の絶縁膜と最上層の導電膜とを順次形成したゲート部よりなり、この複数の絶縁膜の少なくとも1つに電荷を捕獲する準位を有する半導体不揮発性メモリトランジスタ11のゲート端子13に第1の定電圧源15から一定の電圧を供給し、ドレイン端子17に抵抗素子18を介して第2の定電圧源21から一定の電圧を供給して、このドレイン端子17の電圧と、任意に出力電圧を設定できる電圧発生回路23の出力電圧とをコンパレータ27で比較する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板に互いに離間して形成する半導体基板と逆導電型のソース領域およびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に複数の絶縁膜と最上層の導電膜を順次形成したゲート部よりなり、複数の絶縁膜の少なくとも1つに電荷を捕獲する準位を有する半導体不揮発性メモリトランジスタと、半導体不揮発性メモリトランジスタのゲート端子に一定の電圧を供給する第1の定電圧源と、半導体不揮発性メモリトランジスタのドレイン端子に抵抗素子を介して一定の電圧を供給する第2の定電圧源と、任意に出力電圧を設定できる電圧発生回路と、ドレイン端子の電圧と電圧発生回路から出力する電圧を比較するコンパレータとを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/11 ,  G11C 16/06 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 381 ,  G11C 17/00 309 B ,  H01L 29/78 371