特許
J-GLOBAL ID：200903030933157549
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238208
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082405
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 基板の元々の反りの方向性を制約し、反りが主面側に凸となる基板を選択してデバイスを形成することによってAl配線消失をなくし、デバイス信頼性の向上を図ることができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【構成】 主面上にデバイスを形成するSiの半導体基板1であって、この半導体基板1の反りの方向性が主面側に凸とされるものであり、デバイスを形成する際に、反りの方向性の制約に基づいて半導体基板1が選択される。そして、Al配線2の形成後の層間絶縁膜3の形成、さらに熱処理後でも変形がなく、主面側に凸の状態が保持される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上にデバイスを形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板にデバイスを形成する際に、該半導体基板を反りの方向性の制約に基づいて選択し、該選択された半導体基板にデバイスを形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02
, H01L 21/3205
