特許

J-GLOBAL ID：200903030936632531

半導体装置とその製造方法

発明者： 岸井 貞浩 ,  原田 秀樹 ,  堀江 博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-339180
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188242
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 多層配線を含む半導体装置とその製造方法に関し、平坦性と絶縁性に優れた多層配線用の層間絶縁膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 回路素子を形成した半導体基板と、前記半導体基板上に形成された下層金属配線と、該下層金属配線を被覆し、平坦化した表面を有する引張り応力性SiO2 系の第1の層間絶縁膜と、該第1の層間絶縁膜を被覆する圧縮応力性SiO2 系の第2の層間絶縁膜と、該第2の層間絶縁膜上に形成された上層金属配線とを有する。

請求項（抜粋）：

回路素子を形成した半導体基板(1)と、前記半導体基板(1)上に形成された下層金属配線(2)と、該下層金属配線(2)を被覆し、研磨されてできる平坦化した表面を有する引張り応力性SiO2 系の第1の層間絶縁膜(3)と、該第1の層間絶縁膜(3)を被覆する圧縮応力性SiO2 系の第2の層間絶縁膜(4)と、該第2の層間絶縁膜(4)上に形成された上層金属配線(5)とを有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90