特許

J-GLOBAL ID：200903030936666908

CVD薄膜形成装置

発明者： 井上 直樹 ,  中岡 春雪 ,  東 秀樹 ,  柳澤 徹 ,  森川 茂 ,  小林 孝 ,  佐伯 登 ,  坂井 久
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010401
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224131
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 複数種の金属化合物ガスと酸化性ガスとを薄膜形成室内に供給し、薄膜形成室内に配設された基板上に金属酸化物薄膜を形成するCVD薄膜形成装置において、複数種の金属化合物ガスを再凝固あるいは分解による生成物形成を起こすことなく薄膜形成室に供給することができ、組成の均一な良好な膜を得ることができる薄膜形成装置を得る。【構成】 薄膜形成室6に連通連結されるとともに、複数種の金属化合物ガスg1が各別に供給されて予混合される予混合管7と、予混合管7を、複数種の金属化合物夫々の気化温度よりも高く、前記金属化合物の熱分解温度よりも低い温度に維持する保温手段16を備え、酸化性ガスg2を薄膜形成室6に導く酸化性ガス供給手段8を設けて構成する。

請求項（抜粋）：

基板(3)の表面に薄膜(4)をCVD法により形成するCVD薄膜形成装置であって、原料ガスとしての複数種の有機金属化合物ガス(g1)が薄膜形成室(6)内に配設される基板近傍に導かれる前に予混合される予混合管(7)を備え、前記予混合管(7)を、前記複数種の有機金属化合物夫々の気化温度よりも高く、熱分解温度よりも低い温度に維持する保温手段(16)を設け、酸化性ガス(g2)を前記薄膜形成室(6)に直接導く酸化性ガス供給手段(8)を設けたCVD薄膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44

引用特許：

審査官引用 (2件)

• アンローダ弁
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136120   出願人：有光工業株式会社
• 特開平3-088702