特許
J-GLOBAL ID：200903030940914380
プラズマ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
守谷 一雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260288
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112168
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】均一なプラズマ処理を行う。【構成】接地された反応容器13の蓋を構成する上部電極11により、導電性Oリング31を介して反応容器13を密閉させる。高周波電源に接続された下部電極に高周波を供給し、上部電極11と下部電極間に高周波電圧を印加する。反応容器13内に導入された反応ガスがプラズマ化されて下部電極11上の半導体ウェハをプラズマ処理する。【効果】上部電極に反りが生じていても反応容器に電気的に接続され、反応容器は接地されるため、高周波として電気的乱れが生じずノイズが発生しないため、反応ガスは均一にプラズマ化され、均一なプラズマ流が生じそのため半導体ウェハは均一にプラズマ処理される。
請求項（抜粋）：
反応容器本体と蓋として機能する上部電極とにより処理室を形成し、前記上部電極に対向する下部電極を前記処理室内に設け、前記上部電極及び下部電極間に高周波を印加することにより発生される反応ガスのプラズマにより前記下部電極上に載置された被処理体をプラズマ処理するプラズマ装置において、前記上部電極と前記反応容器本体は導電性リングを介して接続されることを特徴とするプラズマ装置。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/027
, H01L 21/31
, H05H 1/46
