特許

J-GLOBAL ID：200903030943327957

薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法、段差を有する表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成する方法、並びに、薄膜磁気ヘッド

発明者： 飯塚 大助
出願人/特許権者： リードライト・エスエムアイ株式会社
代理人 (1件)： 藤田 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338034
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163713
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 段差を有する表面上に形成することを余儀なくされている上部磁極層を形成するためのレジスト層を、サブミクロンオーダーを下回る精度でパターニングすることができるようにして、更なる面記録密度の向上に資することができる薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法を提供する。【解決手段】 上部磁極層を形成するためのフレームを多層レジスト層により形成し、比較的厚い下層レジストを、真空薄膜形成法により形成する。

請求項（抜粋）：

略平坦な下部磁極層と、磁気ギャップ層と、少なくとも一段の薄膜コイル層と、該コイル層を覆う絶縁層と、ポール部及びヨーク部を有する上部磁極層とを有する薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の形成方法であって、前記下部磁極層、磁気ギャップ層、コイル層および絶縁層を積層形成した基板表面に、鍍金下地膜を形成し、該下地膜上に真空薄膜形成法により全体にわたって略均一な膜厚の比較的厚い第一のレジスト層を形成し、該層上に比較的薄い第二のレジスト層を形成し、該第二レジスト層を上部磁極層の平面形状にパターニングし、パターニングされた第二レジスト層をマスクとする異方性ドライエッチングにより第一レジスト層をパターニングし、パターニングされた第一レジスト層をフレームとして、鍍金下地膜の露呈された領域上に湿式鍍金法により上部磁極層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法。

FI (2件)：

G11B 5/31 C ,  G11B 5/31 M

Fターム (6件)：

5D033AA02 ,  5D033BA01 ,  5D033BA34 ,  5D033BB43 ,  5D033DA04 ,  5D033DA08