特許

J-GLOBAL ID：200903030945165873

半導体素子の配線形成方法

発明者： 鄭 佑 仁 ,  金 濟▲徳▼ ,  洪 昌 基
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278772
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288391
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 コンタクトホール内の突起発生を防止して信頼性の高い半導体素子の配線形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板50上にパタニングされた第1絶縁層52を形成しその上に下部キャッピング層54を形成した後、下部キャッピング層及び第1絶縁層を食刻して第1コンタクトホ-ルを形成する。次いで、配線層58を形成した後、この配線層及び下部キャッピング層54を第1絶縁層52が露出されるまでCMPし、前記結果物の全面に第2絶縁層60を形成したのち、この第2絶縁層60及び第1絶縁層52を食刻して第2コンタクトホ-ルを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にパタニングされた第1絶縁層を形成する段階と、前記第1絶縁層上に下部キャッピング層を形成する段階と、前記下部キャッピング層及び前記第1絶縁層を食刻して前記半導体基板の一部を露出させる第1コンタクトホ-ルを形成する段階と、前記第1コンタクトホ-ルの形成された前記結果物表面上に配線層を形成する段階と、前記配線層及び前記下部キャッピング層を前記第1絶縁層が露出されるまで化学-機械的ポリシングする段階と、前記第1絶縁層の露出された前記結果物表面上に第2絶縁層を形成する段階と、前記第2絶縁層及び前記第1絶縁層を食刻して前記半導体基板の一部を露出させる第2コンタクトホ-ルを形成する段階とを備えることを特徴とする半導体素子の配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/306 F

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-059889   出願人：富士通株式会社