特許
J-GLOBAL ID：200903030947103166
半導体レーザ励起固体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 茂信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211836
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055670
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高い励起効率及び現行の半導体レーザ並の小型化を実現した上で、半導体レーザチップの長寿命化、動作の安定化を図る半導体レーザ励起固体レーザを提供することである。【構成】固体レーザ結晶8の半導体レーザ光入射面とレーザ光出射面にそれぞれレーザ共振用ミラー6、7を取付け、結晶8のミラー6をサブマウント3上の半導体レーザチップ4の前方劈開面に透明樹脂層9を介して実質的に密着させた。半導体レーザチップ4の前方劈開面が透明樹脂層9によって覆われて保護される。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ光入射面とレーザ光出射面にそれぞれレーザ共振用ミラーを取付けた固体レーザ結晶と、この固体レーザ結晶を半導体レーザ光によって励起させるための半導体レーザチップとを有する半導体レーザ励起固体レーザにおいて、前記固体レーザ結晶の半導体レーザ光入射面側のレーザ共振用ミラーを半導体レーザチップの前方劈開面に透明樹脂層を介して実質的に密着させたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
IPC (2件)：
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