特許

J-GLOBAL ID：200903030948290830

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 大塚 耕司 ,  橋本 孝子 ,  山田 利夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000670
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186156
出願日： 1996年01月08日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 FIB装置を使用した配線加工を高精度にしかも短時間に行うことができる半導体集積回路装置およびその製造技術を提供する。【解決手段】 半導体基板1の上に配線7および絶縁膜8を形成した後、配線7における補修位置の上の絶縁膜8にマーク9となる溝を形成する工程と、マーク9の中心位置と補修位置の中心とのずれ量を求め、この量を利用してFIB装置のイオンビームを配線7の補修位置の中心に位置合わせし、絶縁膜8に補修用の穴10を形成する工程とを有するものである。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成されているチップの上に配線および前記配線を覆う絶縁膜を有し、前記配線の補修位置を含む領域の上の前記絶縁膜に前記配線を補修する際に使用するマークが設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。