特許

J-GLOBAL ID：200903030948513422

シリコン酸化膜形成方法

発明者： 中野 浩児 ,  坂本 仁志
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 坂間 暁 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-205122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058098
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 不純物の混入を防ぎ、低温で、かつ、選択的に必要な部分にのみシリコン基板上にシリコン酸化膜を形成することができるようにする。【構成】 真空容器5内にシリコン基板1を設置してシリコン堆積用ガス9と酸素10を導入し、シリコン基板1表面を電子線4を照射してシリコン基板1上にシリコン酸化膜を形成させる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にシリコン基板を設置して同真空容器内にシリコン堆積用ガスと酸素含有ガスを導き、シリコン基板表面を電子線で照射することによりシリコン基板上にシリコン酸化膜を作製することを特徴とするシリコン酸化膜形成方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭52-128065
  
• 特開昭61-004224
  
• 特開昭63-235476
  
• 特開昭59-070765