特許

J-GLOBAL ID：200903030955804467

半導体レーザ

発明者： 山田 篤志 ,  岡本 和也
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 三品 岩男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-166885
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032172
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】しきい値電流の低い量子井戸型半導体レーザを提供する。【構成】半導体材料で構成されたポテンシャルの低い井戸領域31と、少なくとも一方向について井戸領域31を両側から挾むポテンシャルの高い周辺領域33とを有する量子井戸構造を活性領域14に備えた半導体レーザ。井戸領域31と周辺領域33との間には、周辺領域33よりもポテンシャルの高い障壁領域32が配置されている

請求項（抜粋）：

半導体材料で構成されたポテンシャルの低い井戸領域と、少なくとも一方向について前記井戸領域を両側から挾む、前記井戸領域よりもポテンシャルの高い周辺領域とを有する量子井戸構造を活性領域に備えた半導体レーザであって、前記井戸領域と周辺領域との間には、前記周辺領域よりもポテンシャルの高い障壁領域が配置されていることを特徴とする半導体レーザ。