特許

J-GLOBAL ID：200903030964797503

突起電極を有する半導体装置、半導体装置の実装方法およびその実装構造

発明者： 庄司 一隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110840
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303204
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 突起電極を有する半導体装置を簡単に製造するとともに、酸化等の影響を防ぎ、さらに実装基板への実装も容易に行えるようにする。【解決手段】 突起電極形成面に設けた突起電極14の先端部に有機材料または高分子材料からなるマスキング用薄膜16を形成する。また、突起電極の基部を埋没するように厚くし先端ほど薄くなるように囲む補強用樹脂膜15を、突起電極の先端部に形成した薄膜とは親和性がない高分子材料で形成する。これによって形成される半導体装置11とこれを実装する実装基板とを準備し、これらを相対向させる。そして、先端部に薄膜を有する突起電極をそのまま対応する被実装面の実装箇所に接触させて溶融接続することにより実装する。

請求項（抜粋）：

突起電極形成面に設けた突起電極の先端部に有機材料または高分子材料からなる薄膜を形成するとともに、前記突起電極の基部を埋没するように厚くし先端ほど薄くなるように囲む補強用樹脂膜を、前記突起電極の先端部に形成した薄膜とは親和性がない高分子材料で形成したことを特徴とする突起電極を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 R