特許
J-GLOBAL ID：200903030966831920
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139382
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 膜厚が異なる多種類のフィールド酸化膜が存在する場合であっても、それぞれのフィールド酸化膜の膜厚に適した位置にチャネルストッパを形成する。【解決手段】 素子分離幅が異なることに起因して膜厚が異なるフィールド酸化膜5a、5bを形成した後、フォトレジスト6をマスクとして、ホウ素イオン7を加速エネルギー150keVと190keVとで2回イオン注入する。これにより形成されたホウ素注入領域8a、9bは、後の熱処理によりそれぞれフィールド酸化膜5a、5bの下端と隣接する領域のシリコン基板1に形成されたチャネルストッパ10a、11となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に膜厚が異なる少なくとも2種類の素子分離用絶縁膜を形成した後、前記素子分離用絶縁膜の下端と隣接する領域の前記半導体基板にチャネルストッパが形成されるように、前記素子分離用絶縁膜の種類ごとに前記素子分離用絶縁膜の膜厚に応じた注入エネルギーで不純物をイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
, H01L 21/76 S
