特許
J-GLOBAL ID：200903030968859740
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323069
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142620
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】サブミクロンデバイスにおける、配線遅延問題を解決するために、多結晶シリコン膜および拡散層の層抵抗を低下させる。【構成】異なる金属種からなる高融点金属/高融点金属シリサイドの2層構造を多結晶シリコン膜および拡散層の全面に形成している。かかる構成は拡散層および多結晶シリコン上に形成されたC49構造TiSi2上に、H2を含まないWF6とSi4を主成分としたガスを用いる化学気相成長法によりタングステン層を全面に形成し、その後、600°C以上で900°C以下の熱工程を行うことで得られる。
請求項（抜粋）：
不純物拡散層またはポリシリコン上に形成された高融点金属シリサイドの上全面に前記高融点金属シリサイドと異なる金属種の金属層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
