特許

J-GLOBAL ID：200903030969204845

エピタキシャル・ウエハ用半導体インゴットの切断方法およびその装置

発明者： 三阪 仁 ,  黒田 泰嘉 ,  長谷川 文彦 ,  二村 昭二
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  株式会社放電精密加工研究所
代理人 (1件)： 森田 寛 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-248719
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 切り代および切断エネルギーが小であり、材料歩留が高く、かつ切断コストの低いエピタキシャル・ウエハ用半導体インゴットの切断方法およびその装置を提供する。【解決手段】 支持部材間にワイヤ電極を長手方向走行可能に張設支持し、これら支持部材間において前記ワイヤ電極の走行方向と直交する方向にエピタキシャル・ウエハ用半導体インゴットを相対移動させ、前記ワイヤ電極と前記半導体インゴットとの間に電圧を印加し放電を発生させて切断する。

請求項（抜粋）：

支持部材間にワイヤ電極を長手方向走行可能に張設支持し、これら支持部材間において張設支持されるワイヤ電極が複数条存在するように構成すると共に、前記ワイヤ電極の走行方向と直交する方向に半導体インゴットを相対移動させ、前記ワイヤ電極の各条毎に当該各条と半導体インゴットとの間に電圧を印加し放電を発生させて前記半導体インゴットを同時に3個以上の複数個に切断することを特徴とするエピタキシャル・ウエハ用半導体インゴットの切断方法。

FI (2件)：

B23H 7/02 G ,  B23H 7/02 M