特許

J-GLOBAL ID：200903030974897832

バイアをつくる方法

発明者： ロバート エッチ.ヘイブマン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104296
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051154
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 接続層の上にある隣合った導体の間の静電容量を減少する。【構成】 パターンぎめした導体18,44の間の水平方向の隙間が、有機含有誘電体材料(例えばアライド・シグナル500シリーズ)22及び54によって実質的に埋められる。二酸化珪素の様な材料で、有機含有誘電体層22,54の上に夫々無機誘電体層24,56が形成される。有機含有誘電体材料を目立ってエッチングしない高密度プラズマ内のフロロカーボンの様なエッチング過程を用いて、無機誘電体層にバイアをエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体装置上にある層の間の電気接続部に対するバイアをつくる方法に於て、基板の上にパターンぎめした導体の層を形成し、該パターンぎめした少なくとも2つの導体の間の空間の少なくとも50%に亘る有機含有誘電体層を形成し、該有機含有層は、前記導体の間の隙間で測定して、前記パターンぎめした導体の厚さの50%乃至150%の厚さを持っており、前記有機含有層は3.5未満の誘電率を持ち、前記有機含有誘電体層並びに前記導体の内の露出している部分があれば該部分を覆う無機誘電体層をデポジットし、前記有機含有層に対して選択性を持つエッチを用いて前記無機誘電体の中にバイアをエッチングする工程を含み、この時前記有機含有誘電体層がエッチ・ストッパとして作用すると共に、マスクの整合外れ又は装置の不均一な形状による過剰エッチングを防止し、且つ二酸化シリコン誘電体に比べて、隣接した対の導体の間の静電容量が減少するようにした方法。

FI (2件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-021640
  
• 特開平2-172229
  
• 特開平4-233225
  
• 特開昭58-184741