特許
J-GLOBAL ID：200903030975092528
炭化けい素半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229332
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086199
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】SiC半導体素体にAlを所期の濃度に導入したp形領域を形成し、半導体素子作製を可能にする。【構成】イオン注入後のアニール時のAlの外方拡散を、表面に窒化けい素膜を形成することにより防止して所期のAl濃度を得る。窒化けい素とSiCの熱膨張率の違いによる支障の発生は、窒化けい素膜の両面に酸化けい素膜を積層することにより防止する。
請求項（抜粋）：
炭化けい素素体の所定の領域にアルミニウムのイオン注入を行い、少なくともそのアルミニウムのイオン注入を行った領域の表面を窒化けい素膜により被覆したのちアニールする工程を含むことを特徴とする炭化けい素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 21/314
