特許
J-GLOBAL ID：200903030976587067
貼りあわせ基体とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197977
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047617
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 素子形成用シリコン基板1と支持用シリコン基板2とを直接貼りあわせて成る半導体基体10において、両基板1、2間で接着力の小さい基体周辺の周縁からの半導体装置の取得率を大幅に向上すること。【構成】 支持用シリコン基板2と素子形成用シリコン基板1とを直接貼りあわせた接合面の周辺にできる隙間7に多結晶シリコン4を充填し、その後素子形成用シリコン基板1側の主表面側を研削・研磨して所定の厚さに仕上げた。
請求項（抜粋）：
基板の周縁部が他部より薄く形成されている基板同士の接合面周縁部に形成される隙間に無機接着材料が充填されている貼りあわせ基体。
IPC (2件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 321
