特許

J-GLOBAL ID：200903030987108403

六フッ化イオウ、トリフルオロメタン及び窒素を使用してタングステンを異方的にエッチングをする方法

発明者： グアン-ジエ シャオ ,  ポール ヘルツ ,  シャン-チャン ダン ,  シャオビン ダイアナ マ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093507
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326774
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 タングステン含有層を基板上で実質的に異方的に、良好な選択度で、しかもエッチングされた形状に過度のパッシベーション堆積物を形成することなくエッチングする方法を得ることを目的とする。【解決手段】 基板はプラズマゾーン内に置かれ、SF6、CHF3及びN2を含むプロセスガスがプラズマゾーン中に導入される。プロセスガスからプラズマが形成され、タングステン含有層を異方的にエッチングする。予め定められた誘電性電力対容量性電力比で動作する誘電性プラズマと容量性プラズマを組み合わせて使用し、プラズマを形成することが望ましい。

請求項（抜粋）：

基板上のタングステン含有層を異方的にエッチングする方法であって、(a) プラズマゾーン内に前記基板を配置する工程と;(b) 前記プラズマゾーン内に六フッ化イオウ(SF6)、トリフルオロメタン(CHF3)及び窒素(N2)を含むプロセスガスを導入する工程と;及び(c) 前記プロセスガスからプラズマを形成し、前記基板上のタングステン含有層をエッチングする工程と;を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E