特許
J-GLOBAL ID：200903030992109981
処理装置においてリアルタイムで温度を測定する方法およびセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297368
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311099
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 プロセス中のウェーハ表面の温度を非侵入的に正確に測定すること。【構成】 ウェーハ表面に向けて第1波長の第1レーザビームと、第2波長の第2レーザビームとを入射し、反射するレーザビームの波長を測定する。この場合、第1および第2レーザビームの波長は変調され、この変調から生じるウェーハの反射率の変化を測定する。一方、第1および第2レーザビームの波長変化から生じるウェーハの固有反射率の変化から、既知の温度でのウェーハの表面粗さを決定し、一方、第1および第2レーザビームの波長の変調から生じるウェーハの固有反射率の変化からウェーハの温度を決定する。
請求項（抜粋）：
既知のスペクトル特性を有する光エネルギーを発生するための光エネルギーソースと、ワークピースに向けて光エネルギーの少なくとも一部を送り、ワークピースとの相互作用の後の光エネルギーの少なくとも一部を受けるための光学システムと、温度依存性の表面粗さにより誘導された光散乱現象によって影響される光学的パラメータの測定に基づいて、ワークピースの温度を決定するための信号処理システムとを備えた、処理装置においてリアルタイムで温度測定をするためのセンサ。
IPC (3件)：
G01K 11/12
, G01J 5/00
, H01L 21/66
