加工パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317430
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163084
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】光吸収及び反射の大きい短波長露光で、レジストを用いる露光に必ず生じる光吸収と反射の問題を本質的に含まない微細加工方法を提供する。【解決手段】表面処理によってパターン露光部または非露光部の被加工膜1の表面上に活性水酸基を選択形成し、その部分にエッチング耐性を持つ膜を選択生成(デポジション)する。そのデポジション膜をマスクに被加工膜1を微細加工する。

請求項（抜粋）：

エネルギ線に対して反射率の高い被加工膜の加工パターンを形成する方法であって、上記被加工膜の表面の活性水酸基を保護する表面処理工程と、上記被加工膜の所望の場所にエネルギ線を照射する工程と、上記被加工膜のエネルギ線が照射されない領域または照射された領域のいずれかの表面にエッチング耐性を有する化合物層を選択的に形成する工程と、上記化合物層をエッチングマスクとして上記被加工膜を加工する工程とを含むことを特徴とする加工パターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 574 , H01L 21/302 J

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