特許

J-GLOBAL ID：200903031005433710

単結晶の育成方法

発明者： 沢田 真一 ,  龍見 雅美
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294219
公開番号（公開出願番号）：特開平5-132391
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】【目的】 融液から単結晶を育成する方法において、固液界面の形状制御を容易にし、結晶性の優れた単結晶を育成する方法を提供しようとするものである。【構成】 単結晶を融液から育成する方法において、直胴部育成中の結晶の固液界面付近の(d2 T/dz2 )(Tは温度、zは成長方向の座標)が0または負となるように温度環境を調整することを特徴とする単結晶の育成方法である。

請求項（抜粋）：

単結晶を融液から育成する方法において、直胴部育成中の結晶の固液界面付近の(d2 T/dz2 )(Tは温度、zは成長方向の座標)が0または負となるように温度環境を調整することを特徴とする単結晶の育成方法。

IPC (2件)：

C30B 15/22 ,  C30B 11/00