特許

J-GLOBAL ID：200903031006074888

半導体装置の作製装置および半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225598
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064545
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 できる限り低温で結晶性を有する珪素薄膜を得る。【構成】 ガラス基板11上に非晶質珪素膜12をCVD法で成膜し、窒化珪素膜のマスク21を形成する。そして14で示されるようなニッケルを含有した溶液をスピンコートすることにより、選択的にニッケルを非晶質珪素膜に導入する。そして加熱処理を行うことによって、非晶質珪素膜12を結晶化させる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に酸化珪素膜と非晶質珪素膜とを成膜する工程と、前記成膜された基板を大気に曝すことなく連続して熱処理して水素出しを行う工程と、前記水素出しが行われた基板に連続して窒化珪素膜を成膜する工程と、前記窒化珪素膜をパターニングし選択的に非晶質珪素膜を露呈させる工程と、前記露呈した非晶質珪素膜に接して非晶質珪素膜の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、加熱処理を行い前記非晶質珪素膜を前記金属元素が導入された領域から基板に平行な方向に結晶成長させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-104117
  
• マルチチャンバ型真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241066   出願人：日電アネルバ株式会社
• 特開平4-063414