特許
J-GLOBAL ID：200903031006775614
研磨の終点検出方法およびその研磨装置ならびにそれを利用した半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039145
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252112
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】研磨時の終点を検出することおよび層間絶縁膜の完全平坦化を安定に達成することを目的とする。【構成】シリコン基板5上の絶縁膜6の上に形成した配線パターン7の上にシリコン酸化膜8を堆積した後に、シリコン窒化膜10を堆積し、さらにシリコン酸化膜8を所望の残し膜厚よりも厚めに堆積する。この後に、シリコン酸化膜8とシリコン窒化膜10との研磨速度の差により生じるモーター電流または回転数の変化を終点として検出する研磨装置を用いて研磨する。シリコン窒化膜10が露出した時点で、第1の終点信号が検出され、さらにシリコン窒化膜10の下層のシリコン酸化膜8が露出した時点で、第2の終点信号が検出され、これが研磨の終点信号となり、平坦化が終了する。
請求項（抜粋）：
被研磨物の研磨時に、この被研磨物とは研磨速度の異なる第2の被研磨物との界面で、被研磨物を装着した回転子のモーター電流またはモーター回転数、あるいは被研磨物の回転子面内での位置が変化することを利用し、その変化信号を終点信号として検出することを特徴とする研磨の終点検出方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/3205
