特許
J-GLOBAL ID：200903031008846543
In4Sn3O12多結晶粉末及びその焼結体、並びにそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡辺 喜平
, 田中 有子
, 佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-019652
公開番号（公開出願番号）：特開2009-179515
出願日： 2008年01月30日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】優れた伝導性を有するIn4Sn3O12多結晶粉末及びノジュールの発生を抑制することができる及び4Sn3O12焼結体を提供する。【解決手段】酸化インジウム前駆体及び酸化スズ前駆体を共沈させて、インジウム元素及びスズ元素のモル比がSn/(In+Sn)=0.34〜0.5である共沈物を生成し、前記共沈物を大気圧下で1400〜1550°Cで加熱処理するIn4Sn3O12結晶を主成分とするIn4Sn3O12多結晶粉末(但し、前記In4Sn3O12結晶は、酸素欠損のあるIn4Sn3O12結晶を含む)。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
In4Sn3O12結晶を主成分とするIn4Sn3O12多結晶粉末。
(但し、前記In4Sn3O12結晶は、酸素欠損のあるIn4Sn3O12結晶を含む)
IPC (3件)：
C01G 19/00
, C04B 35/457
, C23C 14/34
C01G19/00 A
, C04B35/00 R
, C23C14/34 A
4G030AA34
, 4G030AA39
, 4G030BA02
, 4G030CA01
, 4G030GA01
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4K029DC05
, 4K029DC09
