半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232603
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097210
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】良質なサイドウォールを形成し、かつ自己整合的にコンタクトホールを形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を得る。【構成】配線3の上部に窒化膜4が形成される。配線3及び窒化膜4の側面にサイドウォール20が形成される。サイドウォール20は酸化膜6及び窒化膜7からなり、酸化膜6は配線3の側面を完全に覆って配線3の側面上及びゲート酸化膜2上に酸化膜6が形成され、窒化膜7は配線3の側面及びゲート酸化膜2に接することなく酸化膜6上部全面を覆って形成される。【効果】導電層(配線3)及び絶縁膜(ゲート酸化膜2)上を窒化膜が完全に覆うとともに、導電層の側面及び絶縁膜上には酸化膜が形成されるため、良質なサイドウォールを形成し、かつ自己整合的にコンタクトホールを形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に選択的に形成される導電層と、前記導電層の上部全面に形成される第1の窒化膜と、前記導電層の側面に形成されるサイドウォールとを備えた半導体装置であって、前記サイドウォールは、前記導電層の側面を完全に覆って前記導電層の側面上及び前記絶縁膜上に形成される酸化膜と、前記酸化膜の上部を完全に覆って形成される第2の窒化膜とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/768 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331

FI (3件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/90 D , H01L 27/08 321 F

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