特許

J-GLOBAL ID：200903031023626681

光無電解酸化法による金属酸化膜の形成方法

発明者： 松本 泰道
出願人/特許権者： 熊本大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-062076
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：

【要約】【課題】 基板上に金属酸化膜をエピタキシャル成長させることができる金属酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の酸化膜形成方法は、基板材料にそのバンドギャップ以上の光を照射し、それによって材料表面に生成した電子によって溶液中の酸化剤を還元すると同時に、同じく生成したホールによって溶液中の金属イオンを酸化させてその金属酸化物を基板表面に析出させることを特徴とする。又本発明の酸化膜形成方法は、半導体、絶縁体単結晶基板材料にそのバンドギャップ以上の光を照射し、それによって材料表面に生成した電子によって溶液中の酸化剤を還元すると同時に、同じく生成したホールによって溶液中の金属イオンを酸化させてその金属酸化物をエピタキシャル的に基板表面に析出させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属イオンを含む電解質溶液と酸化剤とを含む溶液中に、膜形成すべき表面を有する基板を配置し、基板の膜形成すべき表面上に無電解酸化法により金属酸化膜を形成するに当たり、前記基板表面に、基板のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する光ビームを照射して基板表面に電子正孔対を生成し、基板表面上に生成された電子及び正孔と前記金属イオン及び酸化剤との酸化還元反応により基板表面に金属酸化膜を析出させることを特徴とする光無電解酸化法による金属酸化膜の形成方法。

IPC (4件)：

B32B 9/00 ,  C23C 18/14 ,  C30B 19/00 ,  C30B 29/16

FI (4件)：

B32B 9/00 A ,  C23C 18/14 ,  C30B 19/00 ,  C30B 29/16

Fターム (28件)：

4F100AA17B ,  4F100AA21A ,  4F100AA30B ,  4F100AS00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EH112 ,  4F100EH902 ,  4F100EJ122 ,  4F100EJ142 ,  4F100EJ52A ,  4F100EJ521 ,  4F100GB41 ,  4G050GA04 ,  4G050GA12 ,  4G050GA21 ,  4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077ED06 ,  4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022BA15 ,  4K022BA17 ,  4K022BA33 ,  4K022DA08 ,  4K022DB04