特許
J-GLOBAL ID：200903031025580085
樹脂封止型半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112369
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 封止用樹脂シートを用いた樹脂封止に際し、リード線の変形、エッジタッチの発生を低減し、機械的強度、耐熱衝撃性、耐クラック性、耐湿性の非常に高い超薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 本発明では、外部リード構成体に接続された半導体チップの上下に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シート1,2を配置し、プレス金型で前記未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを前記半導体チップに加圧しながら硬化させる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、チップ裏面側の封止用樹脂シート2の厚さをチップ能動面側の封止用樹脂シート1の厚さよりも厚くして加圧硬化させるようにしている。
請求項（抜粋）：
外部リード構成体に接続された半導体チップの能動面側に未硬化樹脂からなる第1の封止用樹脂シートを配置するとともに、裏面側に未硬化樹脂からなる第2の封止用樹脂シートを配置し、前記未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを前記半導体チップに加圧しながら硬化させる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記半導体チップの裏面側に位置する前記第2の封止用樹脂シートの厚さを、前記半導体チップの能動面側の第1の封止用樹脂シートの厚さよりも厚くしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/30 B
, H01L 23/30 R
