特許
J-GLOBAL ID：200903031027121185
単体構造の半導体装置及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229930
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021067
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】バイポーラトランジスタのベース領域に配線が接続される単体構造の半導体装置において、前記配線に付加される寄生容量を低減し、電力利得、雑音指数のいずれも向上する。【構成】単体構造の半導体装置に搭載されるバイポーラトランジスタTrのベース領域5に接続されるベース用外部端子10BPと基体3との間の絶縁体6及び8の膜厚を他の領域の膜厚に比べて厚く構成する。
請求項（抜粋）：
基体にこの基体で形成されるコレクタ領域、このコレクタ領域の主面部に形成されるベース領域及びこのベース領域の主面部に形成されるエミッタ領域を有するバイポーラトランジスタを構成し、このバイポーラトランジスタのコレクタ領域の主面上に絶縁体を介在して配置された、前記ベース領域に接続されるベース配線及びこのベース配線に接続されるベース用外部端子を構成する単体構造の半導体装置において、前記ベース配線、ベース用外部端子のいずれかとコレクタ領域の主面との間に介在される絶縁体の膜厚が、その周囲の絶縁体の膜厚に比べて厚く構成されたことを特徴とする単体構造の半導体装置。
IPC (2件)：
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