特許
J-GLOBAL ID：200903031035206092
半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168416
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198502
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】保護膜としてフッ素樹脂薄膜を有する半導体で、保護膜の機能を損なうことなく、配線用の接続穴を保護膜に形成する等の微細加工を可能にする。【構成】保護膜上にフォトレジスト層を形成し、露光、現像、エッチングを行うことにより微細加工するにあたり、フォトレジスト層を均一に形成せしめるために、フォトレジスト溶液塗布前に界面活性剤を添加した密着性改良剤塗布する、または、界面活性剤を添加したフォトレジスト溶液を使用する。
請求項（抜粋）：
保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半導体の製造において、フッ素樹脂の表面に、界面活性剤を添加したフォトレジスト溶液を塗布し、次いで露光、現像、エッチングを行うことによってフッ素樹脂の微細加工を行うことを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26
, H01L 21/312
H01L 21/30 361 U
, H01L 21/30 301 R
