特許
J-GLOBAL ID:200903031039088736

薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-241574
公開番号(公開出願番号):特開平5-081620
出願日: 1991年09月20日
公開日(公表日): 1993年04月02日
要約:
【要約】【目的】 この発明は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程を簡略化し歩留りを向上するためになされた。【構成】 MR素子2とリード導体4とをスルーホール11を介して接合するようにしたことにより、バイアス導体6とリード導体4とを同一の層に同一工程で成膜できるようにした。
請求項(抜粋):
磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体と、前記磁気抵抗効果素子の両端に接続され、該磁気抵抗効果素子の長手方向にセンス電流を流すとともにその両端に発生する電圧変化を取り出すための一対のリード導体とを備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記バイアス導体およびリード導体は同一の層内に形成され、前記磁気抵抗効果素子は前記バイアス導体外まで延長され、且つ、その延長点において前記リード導体と接続されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

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