特許
J-GLOBAL ID：200903031040029042
面発光レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237904
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068783
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 面発光レーザ及びその製造方法に関し、高利得の活性層と高反射率のDBRミラーを有する面発光レーザを、より少ない工程数で製造する。【解決手段】 メサ構造7を設けた第1の分布ブラッグ反射器2と、第2の分布ブラッグ反射器3及び歪量子井戸活性層5を含む積層構造体とを接着するとともに、メサ構造7を構成する第1の一導電型低屈折率半導体層の一部を酸化して電流狭窄機構を構成する。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板上に設けられるとともに、前記一導電型半導体基板に格子整合する第1の一導電型低屈折率半導体層と一導電型高屈折率半導体層とからなる多層膜の前記一導電型半導体基板と離れた側にメサ構造を構成し、前記メサ構造を構成する前記第1の一導電型低屈折率半導体層の一部を酸化して形成した酸化膜により電流狭窄構造を構成するとともに、前記メサ構造以外の露出平坦部に前記第1の一導電型低屈折率半導体層を酸化した酸化膜を設けた第1の分布ブラッグ反射器と、一導電型クラッド層、歪量子井戸活性層、及び、逆導電型クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造を構成する前記逆導電型クラッド層に接するように、逆導電型低屈折率半導体層と逆導電型高屈折率半導体層とからなる第2の分布ブラッグ反射器を設けるとともに、前記一導電型クラッド層に接するように第2の一導電型低屈折率半導体層を設け、前記第2の一導電型低屈折率半導体層と前記第1の分布ブラッグ反射器のメサ構造の頂面とを接合させたことを特徴とする面発光レーザ。
Fターム (13件)：
5F073AA09
, 5F073AA51
, 5F073AA63
, 5F073AA74
, 5F073AA81
, 5F073AB17
, 5F073CA15
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA23
, 5F073DA24
, 5F073DA27
, 5F073DA35
